导读 闩锁效应Latch Effect，是一种在数字电路中常见的现象，它可能导致电路功能异常或完全失效。闩锁效应通常发生在CMOS（互补金属氧化物半导
闩锁效应Latch Effect，是一种在数字电路中常见的现象，它可能导致电路功能异常或完全失效。闩锁效应通常发生在CMOS（互补金属氧化物半导体）电路中，特别是在电源电压波动或输入信号过快变化时。当两个背对背连接的双极型晶体管同时导通时，就会形成一个低阻抗路径，从而导致电流失控。这种效应不仅会损坏电路，还可能引发安全问题。
为了防止闩锁效应，工程师们需要仔细设计电路布局和选择合适的组件。例如，使用具有高抗闩锁能力的IC（集成电路），优化电源管理，以及合理安排电路板上的元件布局。此外，在电路设计阶段进行仿真测试，可以有效预测并避免闩锁效应的发生。掌握闩锁效应的相关知识对于确保数字电路稳定运行至关重要。🔒💡
通过以上措施，可以大大降低数字电路中闩锁效应的风险，保障设备的可靠性和安全性。🛡️🔌